中微为全球半导体制造商及其他新兴高科技产业的领先公司提供先进的微观加工高端设备,MOCVD是其有竞争力的产品之一。MOCVD运行时,放置衬底的载体会达到很高的温度,同时放出大量的热量使反应腔壁升温。控制反应腔壁的温度对于MOCVD的性能稳定性有着重要的意义。我们使用了Do辐射模型来对这个问题来进行分析研究。通过上海超级计算中心“魔方”超级计算机的计算,我们成功的研究了相关结构和条件对反应腔壁的温度的影响,为之后工程设计打下了良好的基础。



2017年03月02日

镍基合金圆柱形热模拟试样热变形后鼓形的有限元研究

下一篇:

MOCVD反应腔壁的温度研究

添加时间:

上一篇: